@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36747 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36747 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8277 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36747 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36747 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19930 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36747 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID2819 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36747 . @prefix modulo: . modulo:ID2163 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36747 . @prefix rdf: . prodotto:ID36747 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID36747 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID36747 rdfs:label "Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID36747 pubblicazioni:anno "2011-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1109/TED.2010.2094622"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID36747 skos:altLabel "
Sciuto A, D'Arrigo G, Roccaforte F, Mazzillo M, Spinella RC, Raineri V (2011)
Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications
in I.E.E.E. transactions on electron devices
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Sciuto A, D'Arrigo G, Roccaforte F, Mazzillo M, Spinella RC, Raineri V"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "593"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "599"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "58"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID36747 pubblicazioni:rivista ns12:ID394459 ; pubblicazioni:pagineTotali "7"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "3"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1. CNR IMM, I-95121 Catania, Italy \n2. STMicrolecronics, R&D Dept, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "We demonstrated a 4H-SiC vertical Schottky diode for betavoltaic application using interdigit front metallization. A relevant increase in the betavoltaic short-circuit current with respect to a device with a continuous standard front electrode was achieved with this novel layout allowing to collect also low-energy electrons. In particular, by irradiating the device with a monochromatic electron beam (e-beam) of 17 keV, an internal gain that is 1.4 times higher than in conventional devices was obtained. An open-circuit voltage of similar to 1 V was obtained for an illumination e-beam current density of 10(-8) A/cm(2)." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID2163 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8277 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19930 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 , unitaDiPersonaleEsterno:ID2819 . ns12:ID394459 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36747 .