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Eriksson J, Roccaforte F, Reshanov, Leone S, Giannazzo F, LoNigro R, Fiorenza P, Raineri V (2010)
Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces
in Nanoscale research letters (Print)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Eriksson J, Roccaforte F, Reshanov, Leone S, Giannazzo F, LoNigro R, Fiorenza P, Raineri V"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "6"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID36740 pubblicazioni:rivista ns12:ID114020 ; pubblicazioni:note "art. n. 120"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1. CNR IMM, I-95121 Catania, Italy \n2. Univ Catania, Scuola Super, I-95123 Catania, Italy \n3. Acreo AB, S-16440 Kista, Sweden \n4. Linkoping Univ, Dept Phys Chem & Biol, S-58183 Linkoping, Sweden"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In this work, the transport properties of metal/3C-SiC interfaces were monitored employing a nanoscale characterization approach in combination with conventional electrical measurements. In particular, using conductive atomic force microscopy allowed demonstrating that the stacking fault is the most pervasive, electrically active extended defect at 3C-SiC(111) surfaces, and it can be electrically passivated by an ultraviolet irradiation treatment. For the Au/3C-SiC Schottky interface, a contact area dependence of the Schottky barrier height (Phi(B)) was found even after this passivation, indicating that there are still some electrically active defects at the interface. Improved electrical properties were observed in the case of the Pt/3C-SiC system. In this case, annealing at 500 degrees C resulted in a reduction of the leakage current and an increase of the Schottky barrier height (from 0.77 to 1.12 eV). A structural analysis of the reaction zone carried out by transmission electron microscopy [TEM] and X-ray diffraction showed that the improved electrical properties can be attributed to a consumption of the surface layer of SiC due to silicide (Pt2Si) formation. The degradation of Schottky characteristics at higher temperatures (up to 900 degrees C) could be ascribed to the out-diffusion and aggregation of carbon into clusters, observed by TEM analysis." ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID5345 , modulo:ID2163 , istituto:CDS057 , modulo:ID6443 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleEsterno:ID8749 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 , unitaDiPersonaleEsterno:ID2827 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10107 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9222 . ns12:ID114020 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36740 .