@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36720 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA578 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36720 . @prefix modulo: . modulo:ID8262 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36720 . @prefix rdf: . prodotto:ID36720 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID36720 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID36720 rdfs:label "Impact of transparent conductive oxide on the admittance of thin film solar cells (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID36720 pubblicazioni:anno "2010-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear . @prefix skos: . prodotto:ID36720 skos:altLabel "
Principato F, Cannella G, Lombardo S, Foti M (2010)
Impact of transparent conductive oxide on the admittance of thin film solar cells
in Solid-state electronics
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Principato F, Cannella G, Lombardo S, Foti M"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "1248"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "1290"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "54"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID36720 pubblicazioni:rivista ns11:ID396746 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1. Univ Palermo, Dipartimento Fis & Tecnol Relat, I-90128 Palermo, Italy\n2. CNR IMM, I-95121 Catania, Italy\n3. ST Microelect, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Impact of transparent conductive oxide on the admittance of thin film solar cells"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The impact of transparent electrically conducting oxide (TCO) on the admittance measurements of thin film p-i-n a-Si:H solar cells was investigated. Admittance measurements on solar cell devices, with different area and geometry, in a wide range of frequencies and biases were performed. The admittance measurements of the investigated solar cells, which use the TCO as an electrical contact, showed that the high frequency admittance per area unit depends on the area. This effect increases both with the probe frequency and the size of the solar cells. Transmission line model valid for strip geometry which explains how the resistivity of the TCO layer impacts the measured admittance of the p-i-n diode was presented. An estimate of the critical length of the strip solar cell over which the measured diode capacitance is affected by the TCO is given. The transmission line model allows to estimate also the lumped parasitic series resistance R-s of solar cells with strip geometry." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID8262 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA578 . ns11:ID396746 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36720 .