@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36629 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID17483 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36629 . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27928 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36629 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19930 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36629 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8590 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36629 . @prefix modulo: . modulo:ID7980 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36629 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11503 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36629 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID36629 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID36629 rdfs:label "Heteroepitaxial Growth and Faceting of Ge Nanowires on Si(111) by Electron-Beam Evaporation (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID36629 pubblicazioni:anno "2010-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1149/1.3339677"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID36629 skos:altLabel "
Pecora EF, Irrera A, Artoni P, Boninelli S, Bongiorno C, Spinella C, Priolo F (2010)
Heteroepitaxial Growth and Faceting of Ge Nanowires on Si(111) by Electron-Beam Evaporation
in Electrochemical and solid-state letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Pecora EF, Irrera A, Artoni P, Boninelli S, Bongiorno C, Spinella C, Priolo F"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "K53"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "K55"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "13"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID36629 pubblicazioni:rivista ns12:ID174521 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1. Univ Catania, CNR, IMM, MATIS, I-95123 Catania, Italy \n2. Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy \n3. CNR IMM, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Heteroepitaxial Growth and Faceting of Ge Nanowires on Si(111) by Electron-Beam Evaporation"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "We demonstrated the heteroepitaxial growth of single-crystal faceted Ge nanowires (NWs) by electron-beam evaporation on top of Si(111) substrates. Despite the non-ultrahigh vacuum growth conditions, scanning electron microscope and transmission electron microscope images show that NWs have specific crystallographic growth directions ([111], [110], and [112]) and that specific surface crystallographic planes ({111} or {110}) correspond to the [110] and [112] growth directions. Moreover, we studied in detail the Ge NWs structural properties. The temperature dependence of the NW length and of the frequency of each crystallographic orientation has been elucidated. Finally, the microscopic growth mechanisms have been investigated."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID7980 , istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8590 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27928 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11503 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19930 , unitaDiPersonaleEsterno:ID17483 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID36629 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns12:ID174521 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36629 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID36629 .