@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36268 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19359 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36268 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA286 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36268 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA14053 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36268 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID4575 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID36268 . @prefix modulo: . modulo:ID2163 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID36268 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID36268 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID36268 rdfs:label "Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFET\u0092s (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID36268 pubblicazioni:anno "2008-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1109/TED.2008.926640"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID36268 skos:altLabel "
Poggi A; Moscatelli F; Solmi S; Nipoti R (2008)
Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFET\u0092s
in I.E.E.E. transactions on electron devices
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Poggi A; Moscatelli F; Solmi S; Nipoti R"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "2021"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "2028"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "55"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID36268 pubblicazioni:rivista ns12:ID394459 ; pubblicazioni:pagineTotali "8"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "8"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR, IMM, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFET\u0092s"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "A gate oxide obtained by wet oxidation of SiC pre-implanted with nitrogen has been investigated on MOS capacitors and implemented in a n-channel MOSFET technology. Different implantation fluences and energies in the ranges 1.5x1013 1x1015 cm-2 and 2.5 10 keV, respectively, were used with the aims to study the effect of the nitrogen concentration at the SiO2/SiC interface on MOSFET performance. The highest dose, which is able to amorphize a surface SiC layer, was also employed to take advantage of the faster oxidation rate of amorphous phase with respect to crystalline one. The electron interface trap density near the conduction band has been evaluated with different techniques both on MOS capacitors and MOSFET devices; a good agreement among the measured values has been attained. A strong reduction of the electron interface traps density located near the conduction band has been obtained in the samples with a high nitrogen concentration at the SiO2/SiC interface. The MOSFET\u0092s with the highest nitrogen concentration at the interface (~ 1x1019 cm-3) present the highest channel mobility (21.9 cm2/Vs), the lowest threshold voltage (2.4 V) and the smallest subthreshold swing (310 mV/decade at drain current of 10-11A)."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2163 , istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleEsterno:ID4575 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA286 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA14053 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19359 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID36268 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns12:ID394459 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36268 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID36268 .