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Avice M; Grossner U; Pintilie I; Svensson BG; Servidori M; Nipoti R; Nilsen O; Fjellvag H; (2007)
Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition
in Journal of applied physics
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Avice M; Grossner U; Pintilie I; Svensson BG; Servidori M; Nipoti R; Nilsen O; Fjellvag H;"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "054513"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "102"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID36029 pubblicazioni:rivista ns11:ID289194 ; pubblicazioni:pagineTotali "7"^^xsd:string ; skos:note "Scop"^^xsd:string , "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Univ Oslo, Dept Phys, N-0316 Oslo, Norway;\nUniv Oslo, SMN, N-0316 Oslo, Norway;\nSez Bologna, CNR-IMM, I-40129 Bologna, Italy;\nUniv Oslo, Dept Chem, N-0315 Oslo, Norway"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Al2O3 films have been deposited on n-type and p-type 4H-SiC by atomic layer chemical vapor deposition using trimethylaluminum as a precursor for aluminum and both H2O and O-3 as an oxidant. After oxide deposition, annealing at different temperatures (800, 900, 1000 degrees C) in argon atmosphere for different durations (1, 2, 3 h) was performed. Bulk and interface properties of the oxide films were studied by capacitance-voltage, current-voltage, deep level transient spectroscopy, and thermally dielectric relaxation current (TDRC) measurements. The results reveal a decreasing flatband voltage with increasing annealing time, suggesting decrease of oxide charges and deep interface traps. After 3 h annealing at 1000 degrees C of the n-type samples, the flatband voltage is reduced to 6 V compared to a value in excess of 40 V for as-deposited samples. The TDRC measurements on annealed Al2O3/SiC (n-type) capacitors showed substantially different spectra relative to conventional SiO2/4H-SiC control samples; in the former ones no signal was recorded at temperatures less than 100 K, demonstrating a low density of shallow electron traps below the conduction band edge of 4H-SiC and hence a prospect of obtaining a high electron channel mobility in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect devices with Al2O3 as gate dielectric."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2164 , istituto:CDS057 , modulo:ID5560 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19366 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA14053 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID36029 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID289194 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36029 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID36029 .