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Hamilton J.J; Kirkby K.J; Cowern N.E.B; Collart E.J.H.; Bersani M; Giubertoni D; Gennaro S; Parisini A (2007)
Boron deactivation in preamorphized silicon on insulator: Efficiency of buried oxide as an interstitial sink
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Hamilton J.J; Kirkby K.J; Cowern N.E.B; Collart E.J.H.; Bersani M; Giubertoni D; Gennaro S; Parisini A"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "092122"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://www.bo.imm.cnr.it"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "91"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID36024 pubblicazioni:rivista ns11:ID392626 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Univ Surrey, Ion Beam Ctr, Adv Technol Inst, Surrey GU2 7XH, England;\nUniv Newcastle Upon Tyne, Inst Nanoscale Sci & Technol, Newcastle Upon Tyne NE1 7RU, Tyne & Wear, England;\nUniv Newcastle Upon Tyne, Sch Elect Elect & Comp Engn, Newcastle Upon Tyne NE1 7RU, Tyne & Wear, England;\nAppl Mat UK Ltd, Parametr & Conduct Implant Div, Horsham RH13 5PX, W Sussex, England;\nIRST, ITC, Ctr Ric Sci & Tecnol, I-38050 Trento, Italy;\nIMM-CNR, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Boron deactivation in preamorphized silicon on insulator: Efficiency of buried oxide as an interstitial sink"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Preamorphization of ultrashallow implanted boron in silicon on insulator is optimized to produce an abrupt boxlike doping profile with negligible electrical deactivation and significantly reduced transient enhanced diffusion. The effect is achieved by positioning the as-implanted amorphous/crystalline interface close to the buried oxide interface to minimize interstitials while leaving a single-crystal seed to support solid-phase epitaxy. Results support the idea that the interface between the Si overlayer and the buried oxide is an efficient interstitial sink."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID2164 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA42155 . ns11:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36024 .