@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35962 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35962 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID35962 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10107 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35962 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID2808 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35962 . @prefix modulo: . modulo:ID2163 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID35962 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID35962 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID35962 rdfs:label "Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID35962 pubblicazioni:anno "2007-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1063/1.2710770"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID35962 skos:altLabel "
Iucolano F, Roccaforte F, Giannazzo F, Raineri V (2007)
Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Iucolano F, Roccaforte F, Giannazzo F, Raineri V"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "92119"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "92119"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "90"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID35962 pubblicazioni:rivista ns12:ID392626 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR-IMM, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In this letter, a correlation between the nanoscale localized electrical properties of the Pt/GaN Schottky barrier and the temperature behavior of macroscopic Schottky diodes is demonstrated. Although a significant improvement of the ideality factor of the diodes is achieved after annealing at 400 degrees C, local current-voltage measurements, performed with a biased tip of a conductive atomic force microscope, revealed the inhomogeneous nature of the barrier. Its nanoscale degree of homogeneity was quantitatively described by means of Tung's model [Phys. Rev. B 45, 13509 (1992)], allowing the authors to explain the temperature dependence of the electrical characteristics of the macroscopic diodes." ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2163 , istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10107 , unitaDiPersonaleEsterno:ID2808 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID35962 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns12:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35962 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID35962 .