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Ruggiero A, Libertino S, Roccaforte F, La Via F, Calcagno L (2006)
Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC
in Applied physics. A, Materials science & processing (Print)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Ruggiero A, Libertino S, Roccaforte F, La Via F, Calcagno L"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "543"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "547"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "82"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID35843 pubblicazioni:rivista ns11:ID211716 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy; CNR, IMM, Sezione Catania, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The effects of ion irradiation defects on the carrier concentration of 6H-SiC epitaxial layer were studied by current-voltage (I-V), capacitance.-voltage (C-V) measurements, thermally stimulated capacitance and deep level transient spectroscopy. The defects were produced by irradiation with 10 MeV C+ at a fluence of 10(11) ions/cm(2) supercript stop and subsequent thermal annealings were carried out in the temperature range 500-1700 K under N-2 flux. I-V and C-V measurements reveal the presence of a high defect concentration after irradiation and annealing at temperature lower than 1000 K. Thermally stimulated capacitance measurements show that some of the defects induce a deactivation of the nitrogen donor, while some of the generated defects, behaving as donor-like traps, contribute to increase the material free carrier concentration at temperatures above their freezing point. Deep level transient spectroscopy measurements performed in the temperature range 150-450 K show the presence of several overlapping traps after ion irradiation and annealing at 1000 K: these traps suffer a recovery and a transformation at higher temperatures. The annealing of all traps at temperatures as high as 1700 K allows one to completely restore the n-type conductivity. The defects mainly responsible of the observed change in the carrier concentration are identified." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID5360 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA12583 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA5544 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 . ns11:ID211716 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35843 .