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La Via F, Galvagno G, Roccaforte F, Giannazzo F, Di Franco S, Ruggiero A, Reitano R, Calcagno L, Foti G, Mauceri M, Leone S, Pistone G, Portuese F, Abbondanza G, Abbagnale G, Veneroni A, Omarini F, Zamolo L, Masi M, Valente GL, Crippa D (2006)
High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl
in Microelectronic engineering
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