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Poggi A.; Nipoti R.; Solmi S.; Barozzi M.; Vanzetti L. (2004)
Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation
in Journal of applied physics
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Poggi A.; Nipoti R.; Solmi S.; Barozzi M.; Vanzetti L."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "6119"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "6123"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "95"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35712 pubblicazioni:rivista ns10:ID289194 ; pubblicazioni:pagineTotali "5"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "11"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR, IMM Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy; ITC IRST, I-38050 Trent, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In this article, we investigate the thermal growth of SiO2 films on 6H-SiC preamorphized by Ar+ ion implantation. The experimental conditions to grow oxide layers on SiC with high oxidation rate and low temperature have been determined. Rutherford back scattering channeling, secondary ion mass spectrometry, and x-ray photoelectron spectroscopy analyses have been used to investigate the oxide characteristics and composition. During wet oxidation at 800 degreesC, a linear growth rate of about 0.7 nm/min has been found for layers as thick as 240 nm. The presence of a SiO2Cx transition region between a stoichiometric SiO2 layer and the SiC substrate has been evidenced. The thickness of this transition layer increases with the oxidation time up to reach 118 nm for 390 min."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19359 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA286 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA14053 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID35712 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns10:ID289194 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35712 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID35712 .