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Alquier D.; Bongiorno C.; Roccaforte F.; Raineri V. (2005)
Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Alquier D.; Bongiorno C.; Roccaforte F.; Raineri V."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "211911"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "211911"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "86"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35479 pubblicazioni:rivista ns10:ID392626 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR, IMM Sez Catania, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In this letter, we demonstrate that helium high-dose implantation is able to produce voids in GaN and we describe the behavior of material dislocations under these conditions. Two main types of nanovoids are encountered after annealing: cylindrical and pyramidal nanovoids. During their thermal evolution, these vacancy-type defects are interacting with dislocations favoring their local annihilation. The experimental results demonstrate a short-range interaction between nanovoid layer and dislocations, thus having potential applications for the improvement of GaN epitaxial layers quality."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8848 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8590 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA465 . ns10:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35479 .