@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID35382 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA5634 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35382 . @prefix rdf: . prodotto:ID35382 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID35382 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID35382 rdfs:label "MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (100)ZnTe : P substrates (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID35382 pubblicazioni:anno "2003-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1016/S0022-0248(02)01855-9"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID35382 skos:altLabel "
Lovergine N., Traversa M., Prete P., Yoshino K., Ozeki M., Pentimalli M., Tapfer L., Mancini A.M. (2003)
MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (100)ZnTe : P substrates
in Journal of crystal growth
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Lovergine N., Traversa M., Prete P., Yoshino K., Ozeki M., Pentimalli M., Tapfer L., Mancini A.M."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "37"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "42"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=Z14p@7mBbgEf5HpK98F&page=1&doc=2"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "248"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35382 pubblicazioni:rivista ns10:ID394944 ; pubblicazioni:pagineTotali "6"^^xsd:string ; skos:note "Scopu"^^xsd:string , "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Univ Lecce, INFM, I-73100 Lecce, Italy\nUniv Lecce, Dipartimento Ingn Innovaz, I-73100 Lecce, Italy\nCNR, IMM, Sez Lecce, I-73100 Lecce, Italy\nMiyazaki Univ, Dept Elect & Elect Engn, Miyazaki 8892192, Japan\nCtr Ric Brindisi, MAT, UTS, ENEA, I-72100 Brindisi, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (100)ZnTe : P substrates"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The growth of ZnTe by atmospheric pressure metalorganic vapour phase epitaxy on (1 0 0)ZnTe:P substrates is reported. The epilayers were grown at 340degreesC after in situ H, heat cleaning of the substrate for surface oxide removal. Secondary ion mass spectrometry analysis of as-grown samples has shown that in situ treatment temperatures above 240degreesC are necessary. Moreover, no phosphorous incorporation occurs in the epilayers by either diffusion from the substrate or auto-doping through the vapour. Carbon is instead incorporated in the epilayers at concentrations higher than in the substrate. 4.2 K photoluminescence (PL) measurements shock a dominant band edge emission, whose main component at 2.3809 eV is identified. by comparison with reflectance spectra, with the Is-state free exciton line. its FWHM being 2.2 meV. A weak 2s-state exciton line also appears on the high-energy side of the ground-state emission. further confirming the high optical quality and purity of the epilayers. Donor and acceptor bound exciton lines are also identified within the band edge region, whilst free-to-bound and donor-acceptor pair bands below 2.37 eV in the PL spectra are ascribed to luminescence from the substrate."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA5634 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID35382 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns10:ID394944 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35382 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID35382 .