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Ferrero C., Servidori M., Thiaudiere D., Milita S., Lequien S., Sama S., Setzu S., Metzger T.H. (2003)
Depth profiling of the lateral pore size and correlation distance in thin porous silicon layers by grazing incidence small angle X-ray scattering
in Journal of the Electrochemical Society
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Ferrero C., Servidori M., Thiaudiere D., Milita S., Lequien S., Sama S., Setzu S., Metzger T.H."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "E366"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "E370"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "150"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35351 pubblicazioni:rivista ns10:ID386878 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Depth profiling of the lateral pore size and correlation distance in thin porous silicon layers by grazing incidence small angle X-ray scattering"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Grazing incidence small angle X-ray scattering was used with synchrotron beam to determine lateral pore sizes and distances between pores formed by anodizing thin (similar to300 nm) surface layers of p-type silicon substrates with different current densities, electrolyte compositions, and temperatures. The diffuse scattering was recorded by a two-dimensional gas-filled detector and showed an intensity distribution compatible with a pore correlation parallel to the porous silicon layer. This was observed for all the samples irrespective of their anodization conditions. The experimental intensity data were reproduced by assuming a model of spherical pores. The depth profiles of the average pore diameters and interdistances parallel to the surface were obtained and compared with the mean layer porosities determined by previous specular X-ray reflectivity measurements made on the same samples." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8501 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19366 . ns10:ID386878 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35351 .