@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID35331 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA578 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID35331 . @prefix rdf: . prodotto:ID35331 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID35331 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID35331 rdfs:label "Peculiar aspects of nanocrystal memory cells: data and extrapolations, Nanotechnology (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID35331 pubblicazioni:anno "2003-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear . @prefix skos: . prodotto:ID35331 skos:altLabel "
Crupi I., Corso D., Ammendola G., Lombardo S., Gerardi C., DeSalvo B., Ghibaudo G., Rimini E., Melanotte M. (2003)
Peculiar aspects of nanocrystal memory cells: data and extrapolations, Nanotechnology
in IEEE transactions on nanotechnology
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Crupi I., Corso D., Ammendola G., Lombardo S., Gerardi C., DeSalvo B., Ghibaudo G., Rimini E., Melanotte M."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "319"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "323"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "2"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35331 pubblicazioni:rivista ns10:ID65631 ; pubblicazioni:note "Issue 4"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR, Inst Natl Res Council, I-95121 Catania, Italy; IMM, I-95121 Catania, Italy; STMicroelect, I-95121 Catania, Italy; CEA, LETI, F-38054 Grenoble 9, France; CNRS, IMEP, Grenoble 9, France"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Peculiar aspects of nanocrystal memory cells: data and extrapolations, Nanotechnology"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Nanocrystal memory cell are a promising candidate for the scaling of nonvolatile memories in which the conventional floating gate is replaced by an array of nanocrystals. The aim of this paper is to present the results of a thorough investigation of the possibilities and the limitations of such new memory cell. In particular, we focus on devices characterized by a very thin tunnel oxide layer and by silicon nanocrystals formed by chemical vapor deposition. The direct tunneling of the electrons through the tunnel oxide, their storage into the silicon nanocrystals, and furthermore, retention, endurance, and drain turn-on effects, well-known issues for nonvolatile memories, are all investigated. The cell can be also programmed by channel hot electron injection, allowing the possibility to multibit storage. The suppression of the drain turn-on and the possibility of using this cell for multibit storage give us a clear evidence of the distributed nature of the charge storage." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA578 . ns10:ID65631 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35331 .