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Mammoliti F., Grimaldi M.G., La Via F. (2002)
Electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 tisi2 thin-film phases
in Journal of applied physics
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Mammoliti F., Grimaldi M.G., La Via F."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "3147"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "3147"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "92"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID35223 pubblicazioni:rivista ns10:ID289194 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "IMM\nDipartimento di Fisica Catania"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 tisi2 thin-film phases"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 TiSi2 \nthin films were studied in the temperature range of 4-350 K. The residual \nresistivity was the highest (52-72 microOhmcm) for the C49 phase, lower for \nthe C40 (22-33 microOhmcm), and the lowest for the C54 phase (2.8-3.8 \nmicroOhmcm). On the other hand, the Debye temperature decreases from the \nC54 phase (470-490 K), to the C49 (451 K), and finally to the C40 phase \n(420 K). The Hall coefficient of the C49 and C40 phases exhibits a \ntemperature independent value. A change of sign for the Hall coefficient \noccurs in the case of C54 at a temperature of about 80 K indicating that a \nmulticarrier conduction mechanism exists in C54 TiSi2. The value of the \nscattering length le for the C54 samples is two to three times larger\nthan for the C49 and C40 samples. This difference in the scattering length \nis suggested to be due to the presence of intrinsic defects in the C49 and \nC40 phases and/or to the large amount of grain boundaries." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA12583 . ns10:ID289194 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35223 .