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Alberti A., La Via F., Ravesi S., Pannitteri S., Bongiorno C. (2002)
Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities
in Microelectronic engineering
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Alberti A., La Via F., Ravesi S., Pannitteri S., Bongiorno C."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "151"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "156"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "64"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID35130 pubblicazioni:rivista ns11:ID443369 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "IMM\nSTmicroelectronics"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The interfacial properties of 70-nm CoSi layers have been modulated by \nimplanting argon or nitrogen after silicide reaction. The effect of the \nimplant has been studied by transmission electron microscopy and sheet\nresistance analyses. The structural stabilisation of the silicide layer has \nbeen attributed to the formation of a band of cavities which have been \nlocated at the silicide grain boundaries. They have delayed the occurrence \nof the grooving process and extended the stability window by 75-100 \u00B0C. It \nhas been found that the thermal stability improvement is related to the \ncavity density and size, and depends on the implanted species. The maximum\nincrement of the thermal budget has been found at a cavity size of 22 nm \nand a cavity density of 2.5E10 / cm2." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID5360 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA12583 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8186 . ns11:ID443369 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID35130 .