@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS054 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID34393 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA2958 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID34393 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA794 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID34393 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10662 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID34393 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID2359 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID34393 . @prefix modulo: . modulo:ID2672 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID34393 . @prefix rdf: . prodotto:ID34393 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID34393 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID34393 rdfs:label "InAs(100) Surfaces Cleaning by an As-Free Low-Temperature 100 degrees C Treatment (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID34393 pubblicazioni:anno "2009-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1149/1.3076194"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID34393 skos:altLabel "
M. Losurdo; M.M. Giangregorio; F. Lisco; P. Capezzuto; G. Bruno; D.S. Wolter; M. Angelo; A. Brown (2009)
InAs(100) Surfaces Cleaning by an As-Free Low-Temperature 100 degrees C Treatment
in Journal of the Electrochemical Society
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "M. Losurdo; M.M. Giangregorio; F. Lisco; P. Capezzuto; G. Bruno; D.S. Wolter; M. Angelo; A. Brown"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "H263"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "H267"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "156"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID34393 pubblicazioni:rivista ns12:ID386878 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, IMIP, I-70126 Bari, Italy\nDuke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27708 USA"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "InAs(100) Surfaces Cleaning by an As-Free Low-Temperature 100 degrees C Treatment"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Abstract: Oxide removal from InAs(100) surfaces was achieved using a combination of HF:methanol wet etching followed by atomic hydrogen treatment at a temperature as low as 100 degrees C without any stabilizing As flux. The process was monitored in real-time exploiting spectroscopic ellipsometry. Following this treatment, the surface morphology was found to be very smooth at the nanometer scale, with a reduced effective oxide thickness and no appreciable levels of elemental In and As. Furthermore, we demonstrate stability of such surfaces against oxide reformation."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2672 , istituto:CDS054 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA794 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10662 , unitaDiPersonaleEsterno:ID2359 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA2958 . ns12:ID386878 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID34393 .