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T-H Kim, S. Choi, A. S. Brown M. Losurdo and G. Bruno (2006)
Impact of 4H and 6H SiC 0001 nitridation on Ga wetting layer development and GaN growth by molecular beam epitaxy
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "T-H Kim, S. Choi, A. S. Brown M. Losurdo and G. Bruno"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "021916"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "89"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID33862 pubblicazioni:rivista ns11:ID392626 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "[ 1 ] Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27708 USA\n\t[ 2 ] CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, I-70126 Bari, Italy\n \t[ 3 ] INSTM UdR Bari, I-70126 Bari, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Impact of 4H and 6H SiC 0001 nitridation on Ga wetting layer development and GaN growth by molecular beam epitaxy"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "GaN epitaxial layers have been grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on Si-face 4H- and 6H-SiC(0001)(Si) substrates. The impact of the SiC surface preparation and oxide removal achieved via a Ga flash-off process followed by nitridation on the structure and properties of GaN epitaxial layers is articulated. A correlation among the SiC surface nitridation conditions, the Ga wetting layer development, the nucleation layer, and GaN crystalline properties is revealed."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2672 , istituto:CDS054 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA794 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA2958 . ns11:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID33862 .