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V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra, G. Perna, L. Schiavulli, V. Capozzi, M. Ambrico, M. Losurdo (2003)
Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces passivated by N2-H2 plasma
in Journal of luminescence
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra, G. Perna, L. Schiavulli, V. Capozzi, M. Ambrico, M. Losurdo"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "519"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "524"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "102"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID33774 pubblicazioni:rivista ns11:ID304628 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "[ 1 ] Univ Foggia, Fac Med & Chirurg, I-71100 Foggia, Italy\n\t[ 2 ] Univ Bari, Dipartimento Interateneo Fis, I-70126 Bari, Italy\n\t[ 3 ] INFM, Unita Bari, I-70126 Bari, Italy\n\t[ 4 ] CNR, Ist Metodol Inorgan & Plasmi, I-70126 Bari, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces passivated by N2-H2 plasma"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The passivation of GaAs (1 0 0)surface has been performed by using remote N2 \u0096H2 (3%in H2 )RF plasma nitridation.The samples,consisting of n-doped GaAs wafers,show photoluminescence enhancement when the nitridation time and exposure to the plasma are in a narrow temporal window,so that a very thin (about 10 (A)GaN layer is deposited on the GaAs surface.Pure N2 nitridation does not provide an ef .cient passivation,because it results in GaN layers with As and AsN x segregation at the GaN/GaAs interface.Increase of Au \u0096GaAs Schottky barrier with the insertion of GaN interlayer and improvement of current \u0096voltage characteristic have been observed.\nr 2002 Elsevier Science B.V.All rights reserved.\nPACS: 73.20;73.30;78.55\nKeywords: GaAs;Photoluminescence;Nitridation;Schottky barrier"@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2672 , istituto:CDS054 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA858 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA794 . ns11:ID304628 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID33774 .