@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS052 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32939 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19749 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID32939 . @prefix modulo: . modulo:ID2162 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32939 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11243 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID32939 . modulo:ID2455 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32939 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID32939 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID32939 rdfs:label "Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID32939 pubblicazioni:anno "2010-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1063/1.3459968"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID32939 skos:altLabel "
Meneghesso G. a; Rossi F. b; Salviati G. b; Uren M. c; Munoz E. d; Zanoni E. a (2010)
Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Meneghesso G. a; Rossi F. b; Salviati G. b; Uren M. c; Munoz E. d; Zanoni E. a"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "263512-1"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "96"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID32939 pubblicazioni:rivista ns11:ID392626 ; pubblicazioni:note "In: Applied Physics Letters, vol. 96 article n. 263512. American Institute of Physics, 2010."^^xsd:string ; pubblicazioni:pagineTotali "3"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "26"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "a Department of Information Engineering, University of Padova, Via Gradenigo 6/A, 35131 Padova, Italy;\nb IMEM-CNR Institute, Viale Usberti 37/A, 43124 Parma, Italy;\nc QinetiQ Ltd., Malvern WR14 3PS, United Kingdom;\nd ISOM and DIE, Universidad Politecnica of Madrid, Madrid 28034, Spain"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The \\\"kink\\\" effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor current-voltage characteristics is shown to be associated with the epitaxial growth and is unaffected by fabrication process or growth substrate in device wafers from two epitaxy sources and three foundries. We demonstrate that there is a direct correlation between the presence of the \\\"kink\\\" and the presence of a broad yellow cathodoluminescence band. On the basis of generally accepted models for yellow luminescence, we propose that the kink is due to the presence of deep levels in the GaN buffer layer which decrease the drain current when negatively charged."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID32939 pubblicazioni:editore ns12:ID1252 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2455 , istituto:CDS052 , modulo:ID2162 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11243 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19749 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID32939 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID32939 . ns12:ID1252 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID32939 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID32939 .