@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS052 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32798 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA7991 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID32798 . @prefix modulo: . modulo:ID2162 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32798 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID32798 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID32798 rdfs:label "Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID32798 pubblicazioni:anno "2008-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1016/j.mseb.2007.08.017"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID32798 skos:altLabel "
Gombia E.; Ghezzi C.; Parisini A.; Tarricone L.; Longo M. (2008)
Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures
in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology; ELSEVIER SCIENCE SA, PO BOX 564, 1001 LAUSANNE (Svizzera)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Gombia E.; Ghezzi C.; Parisini A.; Tarricone L.; Longo M."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "171"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "174"^^xsd:string ; pubblicazioni:altreInformazioni "Symposium on Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications held at the 2007 EMRS Spring Meeting, Strasbourg, FRANCE, MAY 28-JUN 01, 2007"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510707004710"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "147"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID32798 pubblicazioni:rivista ns11:ID496970 ; pubblicazioni:note "In: Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, vol. 147 pp. 171 - 174. Elsevier, 2008."^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "2-3"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR-IMEM, Parma, Dipartimento di Fisica, Universit\u00E0 di Parma"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "An accurate determination of the valence band discontinuity of the lattice matched GaAs/InGaP heterostructure is performed by admittance spectroscopy measurements in p+/MQW/n+ structures grown by metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). Through the analysis of the temperature dependence of the resonant frequency at which the isothermal curves of the conductance over frequency have the maximum, the energy separation of 336+-5 meV between the lowest heavy hole quantum level in the GaAs wells and the InGaP valence band top is obtained. A valence band discontinuity of Ev=346+-5 meV is then derived by accounting for the calculated confinement energy of heavy holes."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID32798 pubblicazioni:editore ns12:ID12720 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2162 , istituto:CDS052 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA7991 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID32798 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID496970 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID32798 . ns12:ID12720 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID32798 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID32798 .