@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS052 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32620 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA29217 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID32620 . @prefix modulo: . modulo:ID2162 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID32620 . @prefix rdf: . prodotto:ID32620 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID32620 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID32620 rdfs:label "Atomic and electronic structure of the cleaved 6H-SiC(11-20) surface (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID32620 pubblicazioni:anno "2007-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear . @prefix skos: . prodotto:ID32620 skos:altLabel "
Bertelli M., Homoth J., Wenderoth M., Rizzi A., Ulbrich R.G., Righi M.C., Bertoni C.M. , Catellani A. (2007)
Atomic and electronic structure of the cleaved 6H-SiC(11-20) surface
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Bertelli M., Homoth J., Wenderoth M., Rizzi A., Ulbrich R.G., Righi M.C., Bertoni C.M. , Catellani A."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "165312"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "75"^^xsd:string ; pubblicazioni:descrizioneSinteticaDelProdotto "L\u0092articolo e\u0092 frutto di un lavoro congiunto sperimentale e teorico su superfici non-polari di carburo di silicio di potenziale interesse per la crescita di nitruri di elevata qualita\u0092 elettronica. Il lavoro offre inoltre uno spunto metodologico sulla interpretazione di misure STM/STS."^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Ulbrich R.G. - IV. Physikalisches Institut and Virtual Institute of Spin Electronics (VISel), Georg-August Universitaet Goettingen, D-37077 Goettingen, Germany\nBertoni C.M. - CNR-INFM National Center on nanoStructures and bioSystems at Surfaces (S3) and Dipartimento di Fisica, Universita\u0092 di Modena e Reggio Emilia, I-41100 Modena, Italy\nCatellani A. - CNR-IMEM, Parco Area delle Scienze, 37A, I-43010 Parma, and S3, Italy\n"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Atomic and electronic structure of the cleaved 6H-SiC(11-20) surface"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "We present a combined cross-section Scanning Tunnelling Microscopy-Spectroscopy (X-STM/STS) and ab initio simulations study of the non-polar (11-20) cleaved surface of 6H-SiC. The experimental results show an unreconstructed surface in agreement with theory. Upon truncation, two surface bands appear inside the semiconductor bandgap: one empty band localized on the Si-atoms and one filled band on the C-atoms. According to the STS experimental results on n-doped samples, the Fermi energy is pinned at the surface inside the bandgap. By comparison of STM filled and empty states topographies we propose that on the fresh cleaved surface the Fermi level lies at the bottom of the Si-like band. The calculated STM images reproduce very well the experimental contrast of the 6H stacking sequence and its bias dependence." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS052 , modulo:ID2162 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA29217 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID32620 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID32620 .