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Gombia, E.a , Mosca, R.a, Pal, D.a, Busi, S.b, Tarricone, L.b, Fuochi, P.G.c, Lavalle, M.c (2003)
Preparation and characterization of Au/InGaP/GaAs Schottky barriers for radiation damage investigation
in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology; Elsevier Sequoia, Lausanne (Svizzera)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Gombia, E.a , Mosca, R.a, Pal, D.a, Busi, S.b, Tarricone, L.b, Fuochi, P.G.c, Lavalle, M.c"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "39"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "45"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "97"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID32333 pubblicazioni:rivista ns11:ID496970 ; skos:note "Scopu"^^xsd:string , "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "a Istituto IMEM, CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, Fontanini, Parma 43010, Italy\nb Dipartimento di Fisica, Ist. Nazionale di Fis. della Materia, Parco Area delle Scienze 7a, Parma 43100, Italy\nc Istituto FRAE, CNR, Area Ricerca, via P. Gobetti 101, Bologna 40129, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Preparation and characterization of Au/InGaP/GaAs Schottky barriers for radiation damage investigation"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "High quality Au/InGaP Schottky diodes have been prepared as efficient test structures for a study of the radiation hardness of InGaP as space solar cell material. A detailed characterisation of the metal-semiconductor barriers obtained on both n (free carrier concentration ranging from 3 \u00D7 10 15 to 1.2 \u00D7 10 18 cm -3) and p-type (3.5 \u00D7 10 17 cm -3) InGaP epitaxial layers lattice matched to GaAs substrate has been performed using current-voltage, capacitance-voltage and internal photoemission techniques. Excellent electrical properties were found for low doped (ideality factor of 1.05-1.06, rectification ratio of about 10 10 at 0.7 V, reverse current lower than 1\u00D710 -12 A at -2 V) as well as heavily doped samples (rectification ratios of about 10 5 at 0.6 V). The barrier height values calculated by the different techniques were compared and discussed. Deep level transient spectroscopy (DLTS) spectra obtained on unirradiated samples did not show detectable deep levels with the exception of the heaviest doped sample showing a weak peak associated to the DX centre. After electron irradiation at 9 MeV with doses ranging from 5 \u00D7 10 13 to 1.5 \u00D7 10 15 e cm -2 the samples exhibited a broad dominant peak (activation energy in the 0.90-0.93 eV range) whose intensity increased linearly with the absorbed dose. The broadening of the peak and the observed increase of the corresponding trap concentration with the doping level suggest that this peak could be associated to complexes due to the interaction of primary defects, created by high irradiation energy, with each others and with the shallow impurities."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID32333 pubblicazioni:editore ns12:ID12491 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2454 , istituto:CDS052 , modulo:ID2116 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6283 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA7991 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA5463 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA39103 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID32333 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID496970 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID32333 . ns12:ID12491 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID32333 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID32333 .