@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS051 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID31996 . @prefix modulo: . modulo:ID2120 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID31996 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10657 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID31996 . @prefix rdf: . prodotto:ID31996 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID31996 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID31996 rdfs:label "Current fluctuations in polystyrene nano-compounds (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID31996 pubblicazioni:anno "2010-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1140/epjb/e2009-00409-7"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID31996 skos:altLabel "
R. Scaldaferri, C. Bonavolont\u00E0, G.P.Pepe, G .Salzillo, A.Borriello, I.Pedaci (2010)
Current fluctuations in polystyrene nano-compounds
in The European physical journal. B, Condensed matter physics (Print)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "R. Scaldaferri, C. Bonavolont\u00E0, G.P.Pepe, G .Salzillo, A.Borriello, I.Pedaci"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "207"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "210"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "73"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID31996 pubblicazioni:rivista ns11:ID176616 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "STMicroelectronics, Post Silicon Technol Grp, Portici, Italy \n Univ Naples Federico 2, CNR INFM Coherentia, Naples, Italy \nUniv Naples Federico 2, Dept Phys, Naples, Italy \nCNR, Inst Composite & Biomed Mat, I-80125 Naples, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Current fluctuations in polystyrene nano-compounds"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The current fluctuations in a polystyrene matrix (PS) doped by gold nanoparticles (Au-NPs) and small conjugated molecules of 8-hydroxyquinoline (8HQ) have been characterized. The electrical properties of the PS composite allow using it as a responsive layer in non-volatile memory devices due to its switching capability between two well separated conducting states. The analysis of current fluctuations at fixed bias voltages showed the presence of two states in charge carrier transport regardless of the operating conducting state of the device. Moreover, noise spectra have been investigated in the low frequency region, allowing the estimation of charge relaxation times between current levels in the two memory states. The presence of these slow and large fluctuations can seriously affect the final electrical performances of this class of nanostructured memories." ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2120 , istituto:CDS051 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10657 . ns11:ID176616 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID31996 .