@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27561 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID2742 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27655 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID2742 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID2742 . @prefix modulo: . modulo:ID5307 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID2742 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID2742 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID2742 rdfs:label "Chemical vapor deposition of chalcogenide materials for phase-change memories (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID2742 pubblicazioni:anno "2008-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear . @prefix skos: . prodotto:ID2742 skos:altLabel "
Abrutis, A; Plausinaitiene, V; Skapas, M; Wiemer, C; Salicio, O; Longo, M; Pirovano, A; Siegel, J; Gawelda, W; Rushworth, S; Giesen, C (2008)
Chemical vapor deposition of chalcogenide materials for phase-change memories
in Microelectronic engineering
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Abrutis, A; Plausinaitiene, V; Skapas, M; Wiemer, C; Salicio, O; Longo, M; Pirovano, A; Siegel, J; Gawelda, W; Rushworth, S; Giesen, C"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "2338"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "2341"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "85"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID2742 pubblicazioni:rivista ns11:ID443369 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "\\\"[Abrutis, A.; Plausinaitiene, V.; Skapas, M.] Vilnius State Univ, Dept Gen & Inorgan Chem, LT-03225 Vilnius, Lithuania; [Wiemer, C.; Salicio, O.; Longo, M.] INFM MDM Lab, CNR, I-20041 Agrate Brianza, Italy; [Pirovano, A.] STMicroelect M6, I-20041 Agrate Brianza, Italy; [Siegel, J.; Gawelda, W.] CSIC, Inst Opt, Laser Proc Grp, E-28006 Madrid, Spain; [Rushworth, S.] SAFC HiTech, Wirral CH62 3QF, Merseyside, England; [Giesen, C.] AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Chemical vapor deposition of chalcogenide materials for phase-change memories"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Films of chalcogenide Ge-Sb-Te materials were grown by pulsed liquid injection chemical vapor deposition (CVD) technique. Simple thermal CVD without additional process activation and CVD with remote activation of precursor decomposition process by a hot-wire were investigated and compared. Ge(NMe2)(4), Sb(NMe2)(3) and Te(i-Pr)(2) precursors in a form of diluted solutions in toluene were used for depositions. Film composition was controlled by injection parameters, while the thickness was directly related with number of pulses. Hot-wire activated CVD process allows the growth of chalcogenide films of clearly better quality compared to films grown by standard thermal CVD. Uniform, smooth, crystalline Ge2Sb2Te5 films were grown at substrate/wire temperature 300 degrees C/550 degrees C and pressure <= 15 Torr, using nitrogen as a carrier gas, on Si, Si/SiO2, Si/Si3N4 and glass substrates. Forty to forty five nanometer thick films on Si/SiO2 substrates showed reversible electrical and optical phase switching behavior. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved." ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID5307 , istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27561 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27655 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID2742 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID443369 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID2742 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID2742 .