@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS036 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID24929 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6579 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID24929 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9890 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID24929 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1788 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID24929 . @prefix modulo: . modulo:ID2161 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID24929 . @prefix rdf: . prodotto:ID24929 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID24929 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID24929 rdfs:label "Hot carrier effects in p-channel polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID24929 pubblicazioni:anno "2006-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1063/1.2378587"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID24929 skos:altLabel "
L. Mariucci; A. Valletta; P. Gaucci; G. Fortunato; F. Templier (2006)
Hot carrier effects in p-channel polycrystalline silicon thin film transistors
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "L. Mariucci; A. Valletta; P. Gaucci; G. Fortunato; F. Templier"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "183518"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "89"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID24929 pubblicazioni:rivista ns11:ID392626 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "IFN-CNR, CEA-LETI"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Hot carrier effects in p-channel polycrystalline silicon thin film transistors"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The effects of hot carriers on the electrical characteristics of polycrystalline silicon p-channel thin\nfilm transistors have been analyzed, combining experimental data and numerical simulations. The\ntransfer characteristics showed minor variations upon application of prolonged bias stress, while the\noutput characteristics presented a reduction of kink effect. These results have been explained by\nusing a self-consistent model based on the trapping of injected hot electrons. The authors' charge\ninjection model provided a precise evaluation of the extension of the trapped charge regions, at both\nfront and back interfaces. By using such trapped charge distributions, it was possible to reproduce\nthe output characteristics variations as well as the minor on-current increase observed in the transfer\ncharacteristics after bias stress."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS036 , modulo:ID2161 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6579 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9890 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1788 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID24929 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID24929 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID24929 .