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E. Cianci; F. Pirola; V. Foglietti (2005)
Analysis of stress and composition of silicon nitride thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition for microfabrication processes
in Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "E. Cianci; F. Pirola; V. Foglietti"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "168"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "172"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "23"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID24685 pubblicazioni:rivista ns11:ID269660 ; pubblicazioni:numeroFascicolo "1"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Istituto di Fotonica e Nanotecnologie IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Analysis of stress and composition of silicon nitride thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition for microfabrication processes"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "We investigated the influence of process parameters in electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical-vapor deposition (ECR-PECVD) of silicon nitride on the intrinsic stress of thin SiNx films and on their composition, to obtain SiNx films suitable for micromechanical applications. The silane-to-nitrogen gas flow ratio R, along with the addition of helium to the gas mixture, was found to be a critical parameter for the tuning of intrinsic stress in ECR-PECVD SiNx films, from compressive to tensile stress within a large window of R from 0.3 to 0.7, with a maximum related to the largest Si-N bond density in the film."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2791 , istituto:CDS036 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6585 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9774 . ns11:ID269660 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID24685 .