@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS054 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID229371 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA29220 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID229371 . @prefix modulo: . modulo:ID2674 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID229371 . @prefix rdf: . prodotto:ID229371 rdf:type prodotto:TIPO1301 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID229371 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID229371 rdfs:label "Role of hydrogen addition to SiF4-H2-He plasma to control the amorphous/microcrystalline phase in Si:H films (Contributo in atti di convegno)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID229371 pubblicazioni:anno "1999-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear . @prefix skos: . prodotto:ID229371 skos:altLabel "
G. Cicala1, P. Capezzuto2, and G. Bruno1 (1999)
Role of hydrogen addition to SiF4-H2-He plasma to control the amorphous/microcrystalline phase in Si:H films
in 14th Intern. Symp. on Plasma Chemistry, (ISPC-14), Prague (Repubblica Ceca), 2-6 August 1999
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "G. Cicala1, P. Capezzuto2, and G. Bruno1"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "1369"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "1374"^^xsd:string ; pubblicazioni:titoloVolume "14th Intern. Symp. on Plasma Chemistry, (ISPC-14) Proceedings IUPAC"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "III"^^xsd:string ; pubblicazioni:volumeInCollana "III"^^xsd:string ; pubblicazioni:pagineTotali "6"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1Centro di Studio per la Chimica dei Plasmi CNR, Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy;\n2Dipartimento di Chimica Universita` di Bari, Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Role of hydrogen addition to SiF4-H2-He plasma to control the amorphous/microcrystalline phase in Si:H films"^^xsd:string ; pubblicazioni:isbn "80-902724-3-6"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The effects of H2 addition to SiF4-H2-He mixture are investigated on the net deposition rate and the structure of hydrogenated silicon films obtained by means of plasma enhanced chemical vapor deposition. The decrease of net deposition rate with increasing the hydrogen dilution is discussed in terms of gamma ratio that is proportional to etching/growth rates ratio. The gamma ratio determination by optical emission spectroscopy is effective in controlling and identifying the amorphous/crystalline transition phase of silicon. The increase of H2 flow rate from 5 to 30 sccm at a fixed SiF4-He mixture gives an increase in the crystalline volume fraction from 0 to 100%."@en . @prefix ns11: . prodotto:ID229371 pubblicazioni:editore ns11:ID6586 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2674 , istituto:CDS054 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA29220 . ns11:ID6586 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID229371 .