@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA16944 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID212050 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS087 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID212050 . istituto:CDS095 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID212050 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9143 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID212050 . @prefix modulo: . modulo:ID4242 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID212050 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID212050 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID212050 rdfs:label "X-RAY-INDUCED REDUCTION EFFECTS AT CEO2 SURFACES - AN X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID212050 pubblicazioni:anno "1991-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1116/1.577638"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID212050 skos:altLabel "
E. PAPARAZZO, G.M. INGO, N. ZACCHETTI (1991)
X-RAY-INDUCED REDUCTION EFFECTS AT CEO2 SURFACES - AN X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY
in Journal of vacuum science & technology. A. Vacuum, surfaces, and films; American Vacuum Society, American Institute Of Physics, Melville (Stati Uniti d'America)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "E. PAPARAZZO, G.M. INGO, N. ZACCHETTI"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "1416"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "1420"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "9"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID212050 pubblicazioni:rivista ns11:ID445199 ; pubblicazioni:pagineTotali "5"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "3"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "E. PAPARAZZO [1], G.M. INGO [2], N. ZACCHETTI [3]\n\n[1] CNR, ISTITUTO STRUTTURA MATERIA, VIA E FERMI 38, I-00044 FRASCATI, ITALY.\n[2] CNR, ISTITUTO TEORIA & STRUTTURA ELETTRONICA, I-00016 MONTEROTONDO, ITALY\n[3] CENTRO SVILUPPO MATERIALI SPA, ROME, ITALY"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "X-RAY-INDUCED REDUCTION EFFECTS AT CEO2 SURFACES - AN X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "XPS techniques are used to study the effects of Al K-alpha x-rays on the surface chemical composition of CeO2. We find that prolonged exposures cause the formation of some Ce3+ oxidic species at the surface. We have studied the Ce 3p, Ce 3d, O 1s, Ce 4p, Ce 4d, and valence band regions in an attempt to localize the depth of damage. Consideration of published formulations for electron attenuation lengths and electron inelastic mean free paths indicates that the chemical reduction occurs mainly in the first 15-20 angstrom from the surface. Our results show that some of the XPS features, usually referred to as excited electronic states of ceria, are in fact induced by prolonged exposures to the x rays."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID212050 pubblicazioni:editore ns12:ID1279 ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS095 , modulo:ID4242 , istituto:CDS087 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9143 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA16944 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID212050 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns12:ID1279 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID212050 . ns11:ID445199 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID212050 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID212050 .