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C. Frigeri a, M. Ser\u00E9nyi b, A. Csik c, Zs. Szekr\u00E9nyes d, K. Kamar\u00E1s d, L. Nasi a, N.Q. Kh\u00E1nh b (2013)
Evolution of the structure and hydrogen bonding configuration in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers and layers
in Applied surface science; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "C. Frigeri a, M. Ser\u00E9nyi b, A. Csik c, Zs. Szekr\u00E9nyes d, K. Kamar\u00E1s d, L. Nasi a, N.Q. Kh\u00E1nh b"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "12"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "16"^^xsd:string ; pubblicazioni:altreInformazioni "Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2012\n(SURFINT-SREN III, 14-19. May 2012, Florence, Italy)"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433212017643"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "269"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID209300 pubblicazioni:rivista ns11:ID462870 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string , "Scopu"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "a CNR-IMEM Institute, Parco Area Delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy; b Institute of Technical Physics and Materials Science, Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences, P.O. Box 49, H-1525 Budapest, Hungary; c Institute of Nuclear Research of the Hungarian Academy of Sciences, P.O. Box 51, H-4001 Debrecen, Hungary; d Institute for Solid State Physics and Optics, Wigner Research Centre for Physics, Hungarian Academy of Sciences, H-1525 Budapest, Hungary"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Evolution of the structure and hydrogen bonding configuration in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers and layers"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The evolution of the structure and of the hydrogen bonding configuration in hydrogenated a-Si/a-Ge\nmultilayers prepared by RF sputtering is analyzed as a function of annealing. Single layers are also investigated\nto better evaluate the H behavior. IR absorption measurements show that H is released from its\nbonds to Si and Ge upon annealing. The mono-hydrides already disappear to a large extent for low annealing\ntimes (1 and 4 h), being replaced by di-hydrides, especially in the case of Si. For 10 h annealing both\nmono- and di-hydrides are almost completely destroyed. At the same time surface blisters form which,\nfor the same annealing conditions, increase in size with increasing incorporated H in the as-deposited\nsample. It is concluded that the blisters in the multilayers are due to the trapping of the released H in\ncavities that increase in size upon annealing. The enlarged inner surface of the cavities is the candidate\nsite for the formation of the di-hydrides at low annealing times, i.e., when the thermal energy supplied\nby the annealing is still insufficient to break all of them."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID209300 pubblicazioni:editore ns12:ID11865 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2455 , istituto:CDS052 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8816 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6558 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID209300 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID462870 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID209300 . ns12:ID11865 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID209300 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID209300 .