@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS052 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID194917 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1307 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID194917 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11244 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID194917 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11966 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID194917 . @prefix modulo: . modulo:ID2455 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID194917 . @prefix rdf: . prodotto:ID194917 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID194917 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID194917 rdfs:label "AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID194917 pubblicazioni:anno "2012-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1016/j.susc.2012.01.014"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID194917 skos:altLabel "
Attolini, G. 1; Bosi M. 1; Calicchio, M 1; Martinez, O 2; Hortelano, V 2 (2012)
AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs
in Surface science; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Attolini, G. 1; Bosi M. 1; Calicchio, M 1; Martinez, O 2; Hortelano, V 2"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "808"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "812"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039602812000301#"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "606"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID194917 pubblicazioni:rivista ns11:ID599255 ; pubblicazioni:numeroFascicolo "9-10"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1. IMEM CNR Inst, I-43124 Parma, Italy; 2. Dpto. F\u00EDsica de la Materia Condensada, Univ. de Valladolid, Valladolid, Spain"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In this communication we report on the growth of Ge heterolayers on (100), (111)Ga and (111)As surfaces of GaAs substrates. Arsenic can play a role as both dopant and surfactant, changing the growth mechanism for the Ge/GaAs growth on (001) oriented substrates. The use of substrates oriented in different directions can change the growth mode and produce different results, since surface polarity can induce different growth modes: we have compared the results on (111) substrates with respect to the non-polar surface case. The growth behavior on (001), (111)Ga and (111)As substrates is discussed. The layer morphology was investigated by Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy has been carried out as a function of the sample thickness."@en . @prefix ns12: . prodotto:ID194917 pubblicazioni:editore ns12:ID11865 ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2455 , istituto:CDS052 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1307 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11966 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11244 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID194917 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID599255 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID194917 . ns12:ID11865 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID194917 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID194917 .