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S. Ambrosini, M. Fanetti, V. Grillo, A. Franciosi, and S. Rubini (2011)
Self-catalyzed GaAs nanowire growth on Si-treated GaAs(100) substrates
in Journal of applied physics
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "S. Ambrosini, M. Fanetti, V. Grillo, A. Franciosi, and S. Rubini"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "094306-1"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "094306-7"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "109"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID191097 pubblicazioni:rivista ns11:ID289194 ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string , "Scopus"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Istituto Officina dei Materiali CNR, Laboratorio TASC, S.S. 14, Km. 163.5, I-34149 Trieste, Italy\nSincrotrone Trieste S.C.p.A., Elettra Laboratory, S.S. 14, Km. 163.5 I-34149 Trieste, Italy\nDipartimento di Fisica and CENMAT, Universita` di Trieste, 34127 Trieste, Italy\nCentro S3, CNR-Istituto Nanoscienze, Via Campi 213A, 41125 Modena, Italy \nIMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43010 Parma, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Self-catalyzed GaAs nanowire growth on Si-treated GaAs(100) substrates"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Self-catalyzed GaAs nanowire growth was obtained by molecular beam epitaxy on GaAs(001)\nsubstrates after predeposition of subnanometer-thick Si layers. Two substrate preparation methods\nare presented, the first based on the epitaxial growth of Si on GaAs and subsequent exposure to\natmosphere, and the second on the direct deposition of Si on epiready GaAs substrates. X-ray\nphotoemission spectroscopy shows that both methods result in a thin Si oxide layer that promotes\nthe growth of GaAs nanowires aligned along the h111i direction. High densities of nanowires were\nobtained at substrate temperatures between 620 and 680 ?C. Systematic electron microscopy\nstudies indicate that nanowire growth is associated with the formation of Ga nanoparticles on\nthe substrate surface, which act as a catalyst in the vapor-liquid-solid growth mechanism frame.\nThe majority of the nanowires have a pure zinc-blende structure, and their photoluminescence\nis dominated by a photoluminescence peak 3 to 5 meV in width and centered at 1.516 to 1517 eV." ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS052 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27303 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27636 , unitaDiPersonaleEsterno:ID19515 . ns11:ID289194 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID191097 .