@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27561 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID167048 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS052 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID167048 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA7991 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID167048 . @prefix modulo: . modulo:ID2162 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID167048 . modulo:ID5307 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID167048 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID167048 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID167048 rdfs:label "Determination of the valence band offset of MOVPE-grown In0.48Ga0.52P/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID167048 pubblicazioni:anno "2008-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1103/PhysRevB.77.125317"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID167048 skos:altLabel "
Ghezzi C.(a); Magnanini R.(a); Parisini A.(a); Tarricone L.(a); Gombia E.(b); Longo M.(c) (2008)
Determination of the valence band offset of MOVPE-grown In0.48Ga0.52P/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy
in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Ghezzi C.(a); Magnanini R.(a); Parisini A.(a); Tarricone L.(a); Gombia E.(b); Longo M.(c)"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "125317-1"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "125317-9"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://prb.aps.org/abstract/PRB/v77/i12/e125317"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "77"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID167048 pubblicazioni:rivista ns11:ID183556 ; pubblicazioni:note "In: Physical Review B, vol. 77 article n. 125317. The American Physical Society, 2008."^^xsd:string ; pubblicazioni:pagineTotali "9"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string , "Scopu"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "(a)Ghezzi, Carlo; (a)Magnanini, Renato; (a)Parisini, Antonella; (a)Tarricone, Luciano Univ Parma, CNISM, Dipartimento Fisica, Universit\u00E0 di Parma, I-43100 Parma, Italy; \n(b)Gombia, Enos, CNR IMEM, I-43010 Parma, Italy; \n(c)Longo, Massimo, CNR-INFM, Dipartimento di Fisica, Universit\u00E0 di Parma, Viale Giampaolo Usberti, 7/A, 43100 Parma, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Determination of the valence band offset of MOVPE-grown In0.48Ga0.52P/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The valence band discontinuity of the lattice matched In0.48Ga0.52P/GaAs heterostructure was determined through a careful analysis of the temperature and frequency dependence of the admittance of p(+)/MQW/n(+) structures, formed by a nominally undoped InGaP/GaAs multiple quantum well region, interposed between p(+) and n(+) GaAs layers. The heterostructures were grown through metal organic vapor phase epitaxy by using tertiary butyl arsine and tertiary butyl phosphine as alternative precursors for the V-group elements. The growth conditions were optimized for obtaining sharp interfaces and negligible ordering effects in the cation sublattice. Accounting for the temperature dependence of the Fermi energy and the calculated confining energy (10 meV) of the heavy holes in the wells, a valence band offset Delta E-V= (356 +/- 5) meV was derived from the temperature variation of the resonance frequency at which the isothermal conductance over frequency G(omega)/omega curves show a maximum. The experimental uncertainty of this result is significantly low if compared with the wide range (240-400 meV) of the previously reported Delta E-V values. By considering the band gap difference between InGaP and GaAs, a conduction band offset Delta E-C=119 meV was estimated. The accuracy of the experimental procedure and the reliability of the main assumptions of the admittance spectroscopy measurements were accurately checked. The obtained results were discussed in light of the large and growing amount of literature data by taking into account the influence of the growth conditions on the physical properties of the InGaP/GaAs quantum wells."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2162 , istituto:CDS052 , modulo:ID5307 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA7991 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27561 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID167048 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID183556 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID167048 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID167048 .