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Frisina F, Libertino S, Coffa S (2005)
High-gain photodetector of semiconductor material and manufacturing process thereof
US 6,943,390 B2
"^^rdf:HTML ; brevetti:titolo " High-gain photodetector of semiconductor material and manufacturing process thereof"^^xsd:string ; pubblicazioni:autori "Frisina F, Libertino S, Coffa S"^^xsd:string ; brevetti:ricaduteEconomicheOccupazionali "La realizzazione di fotorivelatori in silicio rappresenta uno degli obiettivi fondamentali per lo sviluppo dell'optoelettronica basata sul silicio. Le potenziali ricadute sono enormi, per il miglioramento delle prestazioni di molteplici dispositivi basati sulla tecnologia del silicio."^^xsd:string ; brevetti:settoreMerceologicoISTAT "Dispositivi micro- optoelettronici"^^xsd:string ; brevetti:numeroBrevetto "US 6,943,390 B2"^^xsd:string ; pubblicazioni:descrizioneSinteticaDelProdotto "The high-gain photodetector is formed in a semiconductor-material body which houses a PN junction and a sensitive region that is doped with rare earths, for example erbium. The PN junction forms an acceleration and gain region separate from the sensitive region. The PN junction is reverse-biased and generates an extensive depletion region accommodating the sensitive region. Thereby, the incident photon having a frequency equal to the absorption frequency of the used rare earth crosses the PN junction, which is transparent to light, can be captured by an erbium ion in the sensitive region, so as to generate a primary electron, which is accelerated towards the PN junction by the electric field present, and can, in turn, generate secondary electrons by impact, according to an avalanche process. Thereby, a single photon can give rise to a cascade of electrons, thus considerably increasing detection efficiency."^^xsd:string ; brevetti:annoDiDeposito "2005"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "1 STMicroelectronics, 2 IMM-CNR Sezione di Catania"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo " High-gain photodetector of semiconductor material and manufacturing process thereof"^^xsd:string ; brevetti:trasferimentoBrevetto "E' in corso il traferimento del know-how alla STMicroelectronics per la realizzazione di prodotti applicativi nel campo della fotonica a base di silicio."^^xsd:string ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2681 , istituto:CDS057 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID144898 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID144898 .