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Cinzia Caliendo (1); Patrizia Imperatori (2); Guido Scavia (3) (2009)
Quasi-epitaxial growth of crystalline wurtzite AlN thin films on Si(001) by RF magnetron sputtering
in 2009 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Rome, September 20-23, 2009
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Cinzia Caliendo (1); Patrizia Imperatori (2); Guido Scavia (3)"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "1614"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "1619"^^xsd:string ; pubblicazioni:altreInformazioni "In relazione al prodotto , vedere anche Book abstracts, Session Poster P1-O-01, 254 (2009). Monday, Sept. 21 + Session Chair: Caliendo Cinzia P3/K : Thin films-characterizations, Wednesday, Sept. 23"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=5441423"^^xsd:string ; pubblicazioni:volumeInCollana "Category number 09CH38141; Code 80324"^^xsd:string ; pubblicazioni:note "IEEE International Ultrasonic Symposium (IUS), September 20-23, 2009, Rome.\nBook abstracts, Session Poster P1-O-01, 254 (2009). Monday, Sept. 21 + Session Chair: Caliendo Cinzia P3/K : Thin films-characterizations, Wednesday, Sept. 23. IEEE\n"^^xsd:string ; pubblicazioni:pagineTotali "6"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "5441423"^^xsd:string ; skos:note "Scopu"^^xsd:string , "SCImago"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "(1) Istituto dei Sistemi Complessi - CNR, Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome-Italy\n(2) Istituto di [Struttura della Materia] Chimica dei Materiali - CNR, Via Salaria km. 29,300, 00016 Monterotondo (Rome)-Italy\n(3) Istituto di Chimica delle Macromolecole - CNR, Via Bassini 15, 20133 Milano, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Quasi-epitaxial growth of crystalline wurtzite AlN thin films on Si(001) by RF magnetron sputtering"^^xsd:string ; pubblicazioni:isbn "978-1-4244-4389-5"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Piezoelectric AlN films were grown on Si(001) substrates at 200\u00C2\u00B0C by RF reactive magnetron sputtering technique. The optimization of the sputtering parameters (target-substrate distance, RF power, gas composition) resulted in the quasi-epitaxial growth of crystalline wurtzite AlN thin films. The structure and the morphology of the films were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy techniques. These measurements showed that the AlN films were highly c-axis oriented, with low surface roughness. The structural and morphological characteristics of the best films were correlated to the gas composition of the optimized sputtering process. The piezoelectric constant d33 of all the sputtered AlN films was measured and a value (15 pC/N) surprisingly much higher than that of the bulk single crystal was estimated for the highest quality AlN film."@en . @prefix ns11: . prodotto:ID131729 pubblicazioni:editore ns11:ID321 ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS096 , modulo:ID2170 , modulo:ID2146 , istituto:CDS087 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA29499 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA19457 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9099 . ns11:ID321 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID131729 .