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Zappettini A.; Zha M.; Calestani D.; Marchini L.; Zanotti L.; Paorici C. (2008)
Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman CdZnTe Crystals For X-Ray Detector Applications
in 1st SIMP-AIC Joint Meeting, Sestri Levante (GE)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Zappettini A.; Zha M.; Calestani D.; Marchini L.; Zanotti L.; Paorici C."^^xsd:string ; pubblicazioni:note "In: 1st SIMP-AIC Joint Meeting (Sestri Levante (GE), 7-12 Settembre 2008). Abstract, pp. 189 - 189. Mediaprint Srl, 2008."^^xsd:string ; pubblicazioni:descrizioneSinteticaDelProdotto "CdZnTe crystals are employed for the production of room temperature X-ray detectors and as substrates for infrared detectors. However, the exploitation of CdZnTe crystals for such applications is still limited by the low single-crystalline device-grade yield of the growth process. The authors had previously shown that is possible to grow CdZnTe crystals in a vertical Bridgman configuration by means of boron oxide encapsulation. Actually, the crystals are fully encapsulated by boron oxide, thus preventing any contact between the growing crystal and the ampoule wall."^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR-IMEM, Parma, Dipartimento di Fisica dell'Universit\u00E0 di Parma and CNR-IMEM, Parma"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman CdZnTe Crystals For X-Ray Detector Applications"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS052 , modulo:ID5707 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleEsterno:ID14393 , unitaDiPersonaleEsterno:ID8308 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1661 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8619 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA26061 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA10102 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID114165 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID114165 .